インゴットの引き上げ
多結晶をドーフ剤と共に石英ルツボの中で溶融し、種結晶棒を回転させながら徐々に引上げ必要な太さの単結晶棒(インゴット)をつくります。
インゴットの切断
インゴットをダイヤモンドブレードで所定の厚さに切断し、ウェーハをつくります。
ウェーハの研磨
ウェーハの表面を鏡面状に研磨します。
ウェーハの酸化
ウェーハを高温の拡散炉(900°C～1,100°C)の中で酸 化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。
フォトレジスト塗布
フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハに感光性を持たせます。
ウェーハ表面にパターン形成
フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。
エッチング
エッチングして部分的に酸化膜を除去します。その後、不要なレジストも取り除きます。
酸化・拡散・CVD・イオン注入
ウェーハにイオンを注入(ボロン、リン)や高温拡散を行うとシリコンが出ている部分だけが半導体になります。
平坦化（CMP）
ウェーハ表面を研磨し、パターンの凹凸を平坦化します。
フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返し、ウェーハにトランジスタなど必要な素子を作り込みます。
電極形成
不活性ガスプラズマによりアルミターゲットをスパッタリングし、ウェーハ表面に電極配線用のアルミ金属膜を形成します。
ウェーハ検査
ウェーハをチップごとに試験し、良品・不良品の確定をし、不良品にはマークをつけます。