技術講演会「EUVLレジストプロセスの最新動向」「マルチパターニングによる微細化とパターン解像忠実度について」

対象

SEAJ正会員・賛助会員限定となります。

主旨

　リソグラフィ専門委員会（2016-2017）では、2年目の活動テーマに、注目すべき技術として、『高集積化ソリューションと関連技術の調査アイテム』を挙げ、この度、この分野のトップレベルの有識者の方による技術講演会を企画いたしました。
　ご関係者はもちろん、周りにご興味のある方がいらっしゃいましたら、ご紹介いただけますと幸いです。
　皆様のご参加をお待ち申し上げます。

開催日程・場所

セミナーテーブル
お申し込み	開催日程	開催場所
参加申込	2018年 3月 16日(金)	東京：東京貨物運送健康保険組合　保健会館 5F

受講価格

無　料

講師

国立大学法人大阪大学産業科学研究所量子ビーム物質科学研究分野教授　古澤孝弘様

東京エレクトロン株式会社 CORPORATE TECHNICAL MARKETING DEPT チーフエンジニア　八重樫英民様

内容

①15：05-16：00
「EUVLレジストプロセスの最新動向」
　高解像度化のために短波長化が繰り返されてきた半導体リソグラフィの光源は、次世代の極端紫外光（EUV）リソグラフィにおいて、はじめて電離放射線領域に入り、EUVリソグラフィはシングルナノ領域の半導体大量生産を可能にする製造技術として期待されています。
　本講演では、シングルナノ実現に向けたレジストプロセスの課題と最新の技術動向を反応機構をまじえ解説します。

②16：05-17：00
「マルチパターニングによる微細化とパターン解像忠実度について」
　EUV技術が次世代を担う微細化技術であることは間違いないが、特に微細化が加速するロジックデバイスでは193液浸の延命技術として、スペーサベースのマルチパターニングとカットパターンを組み合わせた“Complementary lithoraphy”が主流である。
　この微細化進展の中で、LER,Local-CDU,Local Placemnet errorに象徴される解像性能の計測基準に沿ってSub-ナノメータレベルのパターン解像忠実度を制御することが望まれている。
　本講演では、これらの課題に対する対策と実証結果を紹介させて頂く。

タイムテーブル

テーブル2セル
スケジュール	講義名
15：05-16：00	「EUVLレジストプロセスの最新動向」
16：05-17：00	「マルチパターニングによる微細化とパターン解像忠実度について」

お申し込み方法

件名を「リソ技術講演会 3/16」として、ご連絡先を記載の上、　info@seaj.or.jp　までメールにてお申し込み下さい。（要ご参加者のe-mailアドレス・電話番号）

定員

60名　3/9（金）までにお申し込み下さい。以降はお電話にてお問い合わせ下さい。

担当

事務局　星野・後藤　info@seaj.or.jp 03-3261-8262

その他講演会・セミナー