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TOP用語検索方法選択>技術分野検索:【ウェーハープロセス(WaferProcess)】

ウェーハープロセス(WaferProcess)

1.洗浄・乾燥装置
クロスコンタミネーション
RCA洗浄
室温四工程洗浄
IMECクリーン
DDC法
SCROD法
POUCG(Point of Use Chemical Generation)方式
CVC法
超臨界CO2
低温エアロゾル洗浄
ウォーターマーク
Rotagoni乾燥法
BARC (Bottom Anti-Reflection Coating)
ダウンフローリンス
スプレーリンス
雰囲気遮断板

2.薄膜形成装置
PFC ( Perfluorocompound )
ステロイド曲線
ALD ( Atomic Layer Deposition )
APCVD ( Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition )
Ba(DPM)2、 Sr(DPM)2
EM ( electro-migration ) 耐性
LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition )
LTA ( Laser Thermal Annealing )
LTS ( Long Throw Sputter )
L/L ( Load Lock )
MOCVD ( Metal Organic CVD )
P+ポリシリコン
RTP ( Rapid Thermal Process )
エレベートソース/ドレイン
デュアルドープポリシリコンゲート
ミニエンバイロメント ( mini-environment )
Nanoindentation ( 超低荷重押込み試験 )

3.エッチング装置・アッシング装置
ストリンガ ( Stringer )
BOX ( Burried Oxide )
CD ( Critical Dimension ) 制御
ECR ( Electron Cyclotron Resonance )
ICP ( Inductively Coupled Plasma )
LER ( Line Edge Roughness )
Scatterometry
ジョンソン - ラーベック力
電子シェーディング効果
電子シェーディングダメージ

4.イオン注入装置
AAP ( Activation Anneal Process )
Halo注入
Ion Shower
LDD ( Lightly Doped Drain )
PGILD ( Projected Gas Immersion Laser Doping )
PIII ( Plasma Immersion Ion Implantation )
Pocket注入
SCE ( Short Channel Effect )
SDS ( Safe Delivery Source )
SSR ( Super Steep Retrograde ) Channel Profile
TED ( Transient Enhanced Diffusion )
エキシマレーザドーピング(Excimar Laser Doping)
スパイクアニール ( Spike Anneal )
プラズマドーピング ( Plasma doping )
気相ドーピング
固相拡散 ( Solid Phase Diffusion )
固相プラズマドーピング ( Solid Source Plasma doping )
単一イオン注入 ( SII: Single Ion Implantation )

5.CMP装置
Prestonの式
EPD
シンニング
スクラッチ
スラッジ
ドレッシング
ダマシン
均一性
研磨レート
選択比
平坦性

6.Cuめっき装置
アノード
バリアメタル
ハンプフリーめっき
ブラックフィルムコントロール
OBIRCH法


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